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🔬 芯片行业日报

新产品技术 · 企业动态 · 大咖观点 · 政策与资本
2026-09-21 · 28 条资讯 · 4 个板块 · 北京时间更新
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新产品/技术

7 条
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长鑫存储第五代DRAM平台正式量产,有源区半间距微缩至11.95纳米

新华网 / 上海证券报 / 央广网北京时间 9月20日新产品/技术
长鑫存储在2026世界制造业大会上宣布第五代DRAM技术平台实现量产,内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米,单片晶圆裸片产出较上一代提升至少50%,并同步展出24Gb LPDDR5X量产产品。
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深度解读

这次量产的G5平台把内存阵列有源区半间距微缩到11.95纳米,已接近全球最顶尖的内存节点。支撑这一指标的是多项工艺协同:存储电容深宽比做到45比1,公司为此开发了适配DRAM制程的高介电常数金属栅工艺,把核心功能区高度压缩到6762纳米,同时在界面工程、鞍形鳍式结构与低介电常数间隔层位线上取得突破。

密度的跃升是更直接的商业变量。以8Gb颗粒为基准换算,G5平台每片晶圆产出的裸片数量比第四代平台提升至少50%,意味着同等产能下的单位成本明显下降。大会同步展出的两款24Gb LPDDR5X产品单颗容量比上一代提升50%,分别采用496Ball与245Ball封装,对应中高端手机与便携消费电子,均已进入规模量产。

放到竞争格局上看,长鑫采用跳代研发策略,十年间完成从第一代到第五代的量产跨越,二季度全球DRAM市场份额已逼近10%、排名第四,峰值速率12800Mbps的LPDDR6已在小米18 Fold上全球首发商用。短板不在单点技术指标,而在产能规模与设备材料的自主配套:产品通过客户验证只是起点,能否在2027年前把产能爬坡到承接海外原厂溢出订单的体量,才是这轮突破转化为持续份额的关键。

来源:新华网

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华为发布全球首个NPO超节点「昇腾960」,用5500个光引擎替代4.8万颗光模块

新华网 / TrendForce集邦咨询 / 华尔街见闻北京时间 9月17日新产品/技术
华为在全联接大会2026发布业界首个采用近封装光学(NPO)的昇腾960超节点,自研Hi-ONE光引擎总容量7.2Tbps,可扩展至4096卡、8 EFLOPS FP8,用5500个光引擎替代了原本需要的4.8万颗800G光模块。
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深度解读

NPO的技术要点在于把光引擎从交换机面板的可插拔位置搬到靠近芯片的PCB区域,在算力卡边缘几厘米处就完成电光转换,从而大幅缩短高速电信号传输距离,突破铜缆在距离与带宽上的物理极限。与把光学器件和交换芯片封装在同一基板内的CPO路线相比,NPO的光引擎独立封装部署在芯片附近,保留了可插拔与可独立维护的特性,在制造良率和运维成本之间取得折中。华为轮值董事长汪涛明确表示,相较CPO,NPO目前是最优方案。

自研Hi-ONE光引擎是这套系统的核心,号称业界首个量产的NPO产品,总容量7.2Tbps,内置36个通道、单通道200Gbps,并且是唯一实现内置光源的NPO产品,光引擎与DSP均为华为自研自产。整机基于灵衢总线与Hi-ONE构建,采用正交架构与全液冷设计,可扩展至4096卡规模,提供8 EFLOPS FP8与16 EFLOPS FP4算力、1PB HBM容量,往返时延最低2微秒。

工程账最能说明这项技术的分量:昇腾960超节点用5500个Hi-ONE替代了原本需要的4.8万颗800G光模块,功耗降低超过550千瓦,系统无故障运行时间提升一倍。这对产业链的指向是清晰的——光互连的价值正从可插拔模块向近封装光引擎迁移,光芯片、硅光集成与先进封装的受益环节将随之重排。后续需要跟踪的是落地节奏:昇腾960DT芯片研发进度提前至2027年一季度,从发布到规模交付仍有约一年窗口。

来源:新华网

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台积电CoWoS明年产能配额被订满,客户开始转向英特尔EMIB-T

IT之家 / EE Times Taiwan / 21财经时间不详新产品/技术
台积电先进封装CoWoS产能持续紧缺,2027年配额已被全部预订,部分客户开始评估英特尔EMIB-T等替代方案,联发科已宣布将同时采用两种封装,谷歌与英伟达对EMIB-T表现出强烈兴趣。
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深度解读

真正的瓶颈已经不在前段制程,而在后段封装。AI芯片的晶圆制造本身跑得顺畅,但最终成品出货被CoWoS产能卡住:台积电不仅今年产能售罄,2027年的配额也已被预订一空,紧张甚至可能延续到2028年。CoWoS依赖硅中介层承载HBM,成本高、良率风险也高,产能扩张速度跟不上需求增长,缺口因此被不断放大。

缺口就是替代方案的窗口。英特尔的EMIB-T在硅桥中嵌入硅通孔,成本据称比CoWoS低约50%,同时支持超过八个光罩尺寸的大封装,可在120毫米见方的基板内集成12颗HBM与4颗高密度芯粒。客户动向已从评估走向决策:联发科正式宣布大型AI专用芯片将同时采用CoWoS与EMIB-T;博通与Meta考虑从CoWoS切换到EMIB;谷歌与英伟达对EMIB-T表现出强烈兴趣;SK海力士也在评估基于英特尔EMIB的基板方案。

这一轮替代的意义超出单一订单本身。先进封装过去是台积电巩固客户黏性的护城河,如今却因产能不足成为客户寻求第二供应源的推力,摩尔定律放缓后「封装决定性能」的行业共识,反而让英特尔获得了切入AI供应链的现实抓手。不过需要审慎看待差距:台积电计划让CoWoS-L主流到2028年,其生态成熟度与产能规模仍大幅领先。后续关注点是谷歌TPU后续世代与英伟达中低端产品线是否真正放量采用EMIB-T。

来源:IT之家

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英特尔14A进入八家美国科技巨头评估名单,缺陷密度降至0.5

Wccftech / C114通信网 / Piper Sandler北京时间 9月19日新产品/技术
Piper Sandler研报称亚马逊、苹果、AMD、谷歌、特斯拉、微软、英伟达与高通八家公司正在评估英特尔14A工艺,该节点2026年6月缺陷密度已降至0.5,目标2027年一季度达到0.1至0.2。
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深度解读

评估名单的广度本身就是一个信号。据Piper Sandler研报,亚马逊、苹果、AMD、谷歌、特斯拉、微软、英伟达与高通八家美国科技公司正在评估英特尔的14A工艺。驱动力来自两个方向:一是台积电先进产能据称已排到2028年,客户被迫寻找第二供应源;二是美国本土制造的政治压力,使英特尔与三星成为少数可行选项。需要注意,这些是评估而非设计中标,目前尚无任何锚定客户得到确认。

技术进展是这份研报更有分量的部分。14A在2026年6月缺陷密度已降到0.5,英特尔的目标是2027年一季度做到0.1至0.2,公司首席财务官称改善速度是自2012年22纳米时代以来最快的。该节点采用PowerDirect背面供电与第二代环绕栅极晶体管RibbonFET 2,相较18A性能提升15%至20%或者功耗降低25%至35%。0.5版PDK已向客户开放,0.9版PDK预计2026年10月前后交付,风险试产安排在2027年,量产目标定在2028年。

把时间表与技术指标放在一起看,这轮评估的真实含义是客户在为2028年之后的产能做提前布局。英特尔的困境在于,它必须先在2026年下半年到2027年上半年拿到早期设计承诺,才会批准大规模产能扩张。需要跟踪三个变量:0.9版PDK交付后的客户反馈、2027年风险试产的良率曲线,以及是否出现一家公开确认的锚定客户。

来源:Wccftech

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华为与小米同日上新:麒麟9050 Pro首用逻辑折叠,玄戒O3采用3nm

光明网 / 百家号北京时间 9月7日新产品/技术
华为与小米同日发布新机,华为Mate XT 2首发麒麟9050 Pro并首次应用逻辑折叠技术,小米18 Fold搭载自研3nm玄戒O3芯片,同时首发长鑫LPDDR6内存。
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两家厂商同日发布旗舰,芯片路线却指向不同的解题思路。华为Mate XT 2三折叠屏首发搭载麒麟9050 Pro,这是自Mate 40之后六年来华为首次在旗舰活动上发布新的麒麟芯片,其技术底色来自「韬定律」——以时间缩微替代几何缩微,本次在芯片上首次应用逻辑折叠技术,在性能提升的同时控制发热。小米18 Fold则搭载自研玄戒O3,采用3纳米制程,官方数据显示CPU多核性能提升60%、GPU性能提升85%,功耗降低64%。

更值得关注的是存储环节的国产化同步落地。小米18 Fold首发搭载长鑫LPDDR6量产芯片,峰值速率达12800Mbps,这是国产LPDDR6在旗舰手机端的首次商用;努比亚NaviX Ultra则搭载长鑫最高速率10667Mbps的LPDDR5X,被称为国产高速率LPDDR5X芯片首次量产应用。终端厂商愿意在旗舰机型上首发国产存储,意味着产品在良率、功耗与一致性上已通过最严苛的验证关卡。

从竞争格局看,这一天把国产芯片的两条路径同时摆上了台面:华为依靠架构创新,在无法获得最先进光刻设备的约束下,从系统与架构层面换取性能空间;小米则走自研加先进制程的商业化路线,直接对标国际主流SoC。两者的共同点是对国产存储与国产制造的深度绑定。后续关注点是产能与良率能否支撑放量,以及韬定律架构能否在中芯国际的制程上实现规模化交付。

来源:光明网

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第二代「非冯·诺依曼」架构专用ASIC芯片完成设计,即将基于国产成熟工艺投产

科技日报北京时间 9月9日新产品/技术
湖南大学刘杰团队宣布第二代非冯·诺依曼架构专用ASIC芯片完成设计,即将基于国产成熟半导体工艺生产,面向原子级科学计算,突破传统架构的存储墙与功耗墙限制。
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这项工作的价值在于换了一条赛道。传统芯片受困于存储墙与功耗墙:数据在处理器与存储器之间反复搬运,带宽与能耗成为算力提升的硬约束。刘杰团队的选择是面向原子级科学计算这一明确场景,设计非冯·诺依曼架构的专用ASIC,把计算与存储在物理上靠得更近,从而绕开通用处理器无法回避的搬运开销——这不是通用算力的替代,而是专用加速路径。

配套条件也在同步成熟。首个规模化的原子级计算专用算力中心已在广东佛山建成运行,团队提出的目标是把材料科学计算从纳秒级、千万原子级推进到微秒级、亿原子级。这个跨越量级的描述,指向的是材料模拟、药物筛选等长期受算力制约的领域——把模拟时间尺度拉长两个数量级,意味着更多此前只能依赖实验的假设可以在计算机上验证。

选择国产成熟工艺投产是这项进展最务实的部分。先进制程受制于外部环境,而成熟制程的产能与工具链在国内相对可控,专用架构恰好能通过结构创新而非单纯依赖线宽微缩来获取性能,两者形成互补。这也提示了国产芯片的一条可行路径:用架构与场景的差异化在细分领域建立非对称优势。后续需要验证实际运行效率与规模化部署成本,以及这套架构能否扩展到更广泛的商业化场景。

来源:科技日报

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ASML将与芯片大厂合作,以最新High-NA设备生产更大尺寸芯片

IEK产业情报网时间不详新产品/技术
ASML计划与主要芯片客户合作,把High-NA EUV光罩尺寸从6英寸升级至12英寸,以单次曝光获得更大芯片面积,三星目标2028年在DRAM上导入High-NA。
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把光罩面积做大,是High-NA EUV被接受的关键一步。High-NA把数值孔径从0.33提升到0.55,代价是曝光场面积缩小到原来的一半,这意味着同样尺寸的芯片需要更多次曝光拼接,生产效率与良率都会受影响。ASML计划与主要芯片客户合作,把光罩从6英寸升级到12英寸,用一次曝光覆盖更大的芯片面积,从而直接抵消这项新设备在产率上的先天劣势。

设备成本的量级决定了导入节奏的分化。单台High-NA设备造价可高达约4亿美元,这也解释了各家态度的明显差异:英特尔最早,已在其18A工艺中提前投用,并确认用High-NA处理了100万片300毫米晶圆、将适用范围从14A扩展到18A;三星与SK海力士计划2028年启用,三星明确指向DRAM;美光已下单但未给出时间表;台积电最保守,与ASML达成协议后规划自2030年起在量产中使用。

这种分化意味着未来三年的设备收入结构仍将由技术更成熟、成本更低的Low-NA EUV与浸没式DUV支撑,High-NA的财务贡献要到2028年之后才会明显体现。对产业链的含义是双重的:上游光学系统与掩模供应链需要提前为12英寸光罩做产能准备。后续关注点是12英寸光罩的实际交付时间,以及台积电2030年的时间表是否会被AI需求压力提前。

来源:IEK产业情报网

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企业动态

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台积电8月营收首破5000亿新台币,全球近20座晶圆厂同步开建

工商时报 / 明报 / TechWeb北京时间 9月10日企业动态
台积电8月合并营收5148.06亿新台币,同比增长53.3%、环比增长10.1%,单月首度突破5000亿大关并连续四个月创历史新高;公司同时推进约20座晶圆厂建设,2026年资本支出上调至600亿至640亿美元。
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深度解读

营收数字的含金量在于连续性。8月合并营收5148.06亿新台币、约合163亿美元,同比增长53.3%、环比增长10.1%,单月首度突破5000亿新台币,连续四个月改写历史新高;前八个月累计营收3.38687万亿新台币,同比增长39.3%,超出分析师此前对本季度约46.8%的增速预期。二季度5纳米、4纳米与3纳米产能全部满载,公司在全球晶圆代工的市场份额升至72.5%。

产能建设的强度更能说明供需失衡的程度。资深副总侯永清表示,公司目前在中国台湾地区与海外同步建设并配置约20座厂房,其中台湾地区13座、海外5至6座,即便如此仍无法满足需求;2026年需采购的半导体制造设备数量,比2025年底的预测增加了约九成。资本支出相应从520亿至560亿美元上调到600亿至640亿美元的历史高位。

代价体现在利润率上。二季度毛利率67.7%,三季度指引中值降至66%,市场预期2027年毛利率将从2026年的66.4%进一步降至65.5%,压力来自2纳米制程爬坡稀释约3至4个百分点、海外晶圆厂爬坡稀释2至3个百分点,以及超过600亿美元资本支出带来的折旧增加。后续需要跟踪新厂建设周期能否匹配AI需求的释放节奏。

来源:工商时报

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中芯国际二季度营收首破30亿美元,全球代工份额升至5.4%居第三

金融界 / TrendForce集邦咨询北京时间 9月9日企业动态
TrendForce数据显示,二季度全球前十大晶圆代工产值534.9亿美元、环比增长11.5%创历史新高,中芯国际营收首次突破30亿美元达30.06亿美元,份额升至5.4%排名第三,与三星差距收窄至0.5个百分点。
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深度解读

规模与份额同时上台阶。中芯国际二季度营业收入210.18亿元人民币,同比增长30.98%、环比增长19.30%,按美元计首次突破30亿美元达到30.06亿美元,全球晶圆代工市占率由一季度的5.1%升至5.4%,稳居第三;与第二名三星代工5.9%的份额差距收窄至0.5个百分点,营收差距不足2.6亿美元。行业大盘同样强劲,二季度全球前十大晶圆代工厂合计产值约534.9亿美元,环比增长11.5%,再度刷新历史新高。

增长的结构值得细看。产能利用率达到93.7%,12英寸晶圆收入占比提升至78.2%;需求侧的动力来自三块:PC与笔记本电脑等消费供应链提前备货,AI周边IC及服务器网络芯片订单稳步增加,以及存储器全面缺货带动NAND与NOR Flash代工需求与价格同步上扬。三季度指引为营收环比增长2%至4%、毛利率升至26%至28%。

这组数据的产业含义在于国产代工的定位变化。过去中芯国际的收入波动与消费电子周期高度绑定,如今AI外溢订单与存储配套需求正在改变其客户与产品结构,使其在全球产能紧缺的窗口期获得更强的议价能力。同时约束条件依然存在:先进制程设备的获取受出口管制影响。后续关注点是三季度毛利率能否如期兑现,以及第三名的位置能否守住。

来源:金融界

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长存控股科创板IPO进入问询阶段,拟募资330亿元创科创板纪录

证券时报 / 中国证券报北京时间 9月3日企业动态
长江存储控股股份有限公司科创板IPO审核状态变更为已问询,距受理仅9个工作日,拟募资330亿元超过长鑫科技的295亿元,其中208亿元投向量产线技术升级,为科创板史上拟募资金额最高项目。
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深度解读

审核节奏本身传递了政策取向。长存控股的IPO于2026年8月21日获上交所受理,9月3日晚间审核状态即更新为「已问询」,首轮问询距受理仅9个工作日。这一速度在科创板大体量项目中相当罕见,反映出资本市场对存储芯片这一关键环节的支持力度——拟募资330亿元超过长鑫科技的295亿元,成为科创板史上拟募资金额最高的项目,其中208亿元用于量产线技术升级,122亿元投向研发。

基本面数据支撑了这次融资的合理性。公司成立于2016年、总部位于武汉,是集芯片设计、生产制造、封装测试与系统解决方案于一体的存储器IDM企业,2022年推出晶栈Xtacking 3.0技术,是全球首批推出200层以上3D NAND产品的企业。财务上,2023至2025年营业收入分别为187.44亿元、452.03亿元与631.85亿元,三年复合增长率83.60%;归母净利润从2023年亏损191.81亿元,转为2024年盈利67.71亿元、2025年盈利142.11亿元。

公司无控股股东、无实际控制人,湖北长晟持股26.54%、芯飞科技持股25.35%、国家大基金一期持股11.97%、二期持股11.38%,四大股东合计持股75.24%,均为国有资本或国家级产业投资基金背景。在TrendForce口径下,2026年一季度公司按销售金额和出货量排名均为全球NAND第三、中国第一。后续关注点是问询回复的进展与定价。

来源:证券时报

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长电科技拟定增募资不超65亿元,加码高性能计算与存储先进封装

证券时报 / 中央广播电视总台经济之声北京时间 9月3日企业动态
封测龙头长电科技披露定增预案,拟募资不超过65亿元,投向高性能计算高端先进封装平台扩产、晶圆级封装升级与高密度存储芯片封测等五个项目,控股股东磐石润企拟认购22.53%。
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深度解读

募资投向清晰地指向了当前最紧缺的环节。长电科技9月3日晚间披露定增预案,拟募集资金不超过65亿元,对应五个项目:高性能计算高端先进封装平台扩产项目总投资23.51亿元、拟投入募资15亿元;高端电源模组先进封装测试产能升级项目总投资16.36亿元、拟投入10亿元;晶圆级封装先进工艺平台升级扩能项目总投资18.32亿元、拟投入11亿元;高密度大容量存储芯片系统级封测能力升级项目总投资18.51亿元、拟投入10亿元;另有19亿元用于补充流动资金和偿还银行贷款。

每个项目对应一个明确的产业缺口。高性能计算项目提升服务器与网通设备芯片的先进封装测试产能;电源模组项目扩充FCLGA封装及模组产能,直接服务AI数据中心的高功率电源系统;晶圆级封装项目应对先进封装产能趋于饱和的现状,面向工业、运算与汽车客户;存储封测项目采用Wire Bonding与Flip Chip技术,重点服务国内存储客户。

资本结构安排同样值得留意。发行对象为包括控股股东磐石润企在内的不超过35名特定投资者,磐石润企拟认购募资总额的22.53%,发行完成后控股股东与实际控制人中国华润均不变。作为全球第三、中国大陆第一的封测企业,长电科技2026年上半年营收195.27亿元、同比增长4.96%,归母净利润8.45亿元、同比增长79.41%,利润增速远超收入增速。

来源:证券时报

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英特尔二季度营收增长25%,但仅能满足约五成客户需求

edgen.tech时间不详企业动态
英特尔二季度营收增长25%至161亿美元,数据中心与AI业务增长59%,但CEO陈立武表示公司只能满足约50%的客户需求,瓶颈在晶圆产能而非需求,供应短缺可能延续到2027年。
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深度解读

需求与交付之间的落差是这份财报最核心的信息。英特尔二季度(截至6月27日)营收增长25%至161亿美元,其中数据中心与人工智能业务增长59%至63亿美元,调整后毛利率达到41.8%、比上年同期高出约12个百分点;但财报同时包含一笔108亿美元的非现金CHIPS法案会计费用,导致该季度净亏损。CEO陈立武明确表示,公司只能满足约50%的客户需求,制约因素是晶圆产能而非市场需求。

产能约束的背景是制程切换的关键期。18A节点已进入高量产阶段,首批产品为Panther Lake,其计算芯粒良率据称达到约80%;继任的14A节点计划2027年一季度投产。同时英特尔还需要为潜在的外部代工客户预留产能。三季度营收指引为158亿至168亿美元,对应约19%的增长。

把这份财报放到行业坐标里看,它的意义不在于英特尔自身业绩的好坏,而在于确认了当前半导体供需失衡的普遍性——从台积电到英特尔,代工厂的表态都是需求超过供给、产能是唯一瓶颈。对产业链的影响是双向的:一方面强化了上游设备与材料的订单能见度,另一方面也让客户更有动力培育第二供应源。后续需跟踪18A良率爬坡节奏与14A能否按期投产。

来源:edgen.tech

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长鑫科技利润率反超三星与SK海力士,成全球盈利水平最高存储厂商

21世纪经济报道北京时间 9月11日企业动态
长鑫科技二季度EBIT利润率达到82%,超过SK海力士的76%与三星半导体部门的70%,全球DRAM收入份额升至10%排名第四,母公司上半年营收150.31亿元、同比增长873.64%。
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深度解读

利润率反超是一个标志性变化。长鑫科技二季度息税前利润率达到82%,高于SK海力士的76%与三星半导体部门的70%;收入同比增长约十倍,全球DRAM收入份额升至10%、排名第四。需要理解这个数字的成因:在价格上行阶段,成本基数较低、产能利用率快速爬升的新进入者,利润率弹性往往显著大于老牌厂商,这是周期位置的产物。

资本层面的动作紧随其后。母公司长鑫科技于7月登陆科创板,上半年营业收入150.31亿元、同比增长873.64%,为技术迭代与产能扩张提供了直接的资金通道。在技术端,公司采取跳代研发策略,十年完成从第一代到第五代DRAM平台的量产跨越,第五代平台已于9月20日宣布量产,并已实现LPDDR6的商用首发。产品线从DDR向LPDDR、从移动端向服务器端的延伸,是份额能否继续提升的关键。

放到全球格局看,存储的利润重心正在从「谁技术最领先」向「谁能在紧缺周期里交出产能」倾斜,中国厂商的进入使得供给曲线在未来两年显著右移,这既可能延长短缺周期中的高盈利窗口,也可能在需求转弱时加速价格回落。对长鑫而言,82%的利润率既是最好的融资名片,也是最需要警惕的周期读数。后续关注点是第五代平台的产能爬坡速度与LPDDR6在更多旗舰机型的导入情况。

来源:21世纪经济报道

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半导体行业获机构密集调研,安集科技单月接待195家次居首

中国金融信息网北京时间 9月16日企业动态
8月1日至9月15日半导体行业接待机构来访5429家次,居申万二级行业首位,安集科技获195家次调研、西安奕材获103家次,资金关注点从设备整机向上游材料与零部件转移。
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深度解读

调研热度的分布揭示了资金的关注路径。8月1日至9月15日,半导体行业累计接待机构来访5429家次,位居申万二级行业首位;其中上游材料公司安集科技获得195家次机构调研,西安奕材获得103家次,集中度明显高于设备整机厂商。这种从整机向材料与零部件环节的迁移,说明市场正在沿着产业链向更上游、更紧缺的环节寻找确定性。

个股层面的数据印证了这条逻辑。安集科技的功能性湿电子化学品上半年收入增长51.03%,毛利率提升6.98个百分点,量价齐升的组合在材料企业中并不多见;西安奕材方面,12英寸硅片需求被描述为2026年将超过每月1000万片,全球范围内处于短缺状态。这些指标共同指向一个事实:晶圆厂扩产不仅拉动设备采购,同样在材料端创造出显著的供不应求。

产业含义是国产替代的纵深在扩展。过去几年国产化的主要叙事集中在刻蚀、薄膜沉积等设备环节,伯恩斯坦数据显示中国晶圆制造设备国产化率2026年预计升至约26%;而材料与核心零部件的高端国产化率仍明显偏低,例如半导体结构陶瓷零部件的国内高端产品国产化率不足10%。高盛预计中国半导体资本开支到2030年将达到820亿美元,其中静电吸盘、芯片组与PCB被点名为新的紧张环节。

来源:中国金融信息网

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大咖观点

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黄仁勋:明年芯片销量有望翻倍,瓶颈在制造能力而非需求

每日经济(韩国) / 머니투데이北京时间 9月19日大咖观点
英伟达CEO黄仁勋在苏格兰AI峰会期间表示,公司明年芯片销量有望达到今年的两倍,当前瓶颈不在需求端而在制造能力,需要把芯片造出来,这一表态扭转了市场情绪。
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这句话之所以能扭转情绪,是因为它把讨论的焦点从需求转向了供给。黄仁勋在9月中的表态中明确,英伟达预计明年芯片销量可望达到今年的两倍,当前的约束不在需求端,而在把芯片造出来的制造能力。这意味着即使单客户采购节奏存在波动,总量层面仍由供给能力而非订单意愿决定。消息传出后,三星电子股价上涨3.37%、SK海力士上涨6.42%。

从产业逻辑看,这个判断与上游的行动一致。台积电同步建设约20座晶圆厂、把2026年资本支出上调到600亿至640亿美元,设备采购需求比原预测增加约九成;SEMI数据显示二季度全球半导体设备出货405.3亿美元、同比增长23%,连续两个季度创历史新高,并预计2026年全球设备销售额达1659亿美元、2028年达2295亿美元。这些都是长周期、不可逆的资本承诺。

需要保持的审慎在于,供给瓶颈的判断本身也依赖需求假设。若AI应用变现进度低于预期,云厂商的资本开支存在下修可能,届时供给端的扩产会从「紧缺」迅速转为「过剩」。因此黄仁勋的表态应当被理解为对短期景气的确认,而非对周期风险的豁免。后续关注点是云厂商三季度资本开支指引,以及英伟达的实际出货量能否兑现翻倍目标。

来源:머니투데이

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Anthropic CEO呼吁放缓前沿模型开发,芯片股暗盘跳水后多方专家释疑

证券时报 / stcn.com北京时间 9月13日大咖观点
Anthropic CEO阿莫代伊呼吁全行业放慢最先进模型开发,奥特曼支持、马斯克认同,美股芯片股暗盘集体跳水,多位市场专家认为影响短暂,不改变AI基础设施的长期投入。
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一次表态引发的连锁反应,暴露了市场对AI叙事的高度敏感。9月12日,Anthropic CEO达里奥·阿莫代伊呼吁全行业放慢最先进AI模型的开发节奏,并建议引入独立第三方评估等保障措施;OpenAI的萨姆·奥特曼表示支持,xAI的马斯克也称阿莫代伊说得对。随后在9月13日的暗盘交易中,芯片股集体下挫——SK海力士跌超4%,英特尔跌近4%,美光与AMD跌超3%。

多位专家的解读倾向于淡化其影响。Allspring的Gary Tan认为这可能造成短期压力,但不太会破坏长期的AI交易;Global X的Billy Leung指出,投入芯片、电力与基础设施的资金并不会真正改变,开发节奏放缓反而有助于行业从「花钱建设」转向「变现」;盛宝市场的Charu Chanana则表示算力需求与AI采用不会消失,存储、网络、冷却与电力设备公司受到在建项目的保护。

把这次波动放到更大的背景中,它更像是估值层面的压力测试而非基本面转折。真正需要区分的是两件事:前沿模型开发速度的放缓,与算力基础设施投入的放缓——前者改变的是模型迭代节奏,后者才决定芯片订单。后续关注点是相关企业是否会把表态转化为实际的训练规模调整,以及云厂商资本开支指引的措辞变化。

来源:证券时报

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花旗:半导体回调是买点,AI支出放缓的担忧被夸大

Yahoo Finance时间不详大咖观点
花旗认为近期半导体板块回调是买入机会,AI支出放缓的担忧被过度放大,给予英伟达315美元、博通515美元目标价,并指出即便AI推进放缓对股价也未必是坏事。
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花旗的核心论据是管理层的直接反馈。在近期半导体板块回调后,花旗认为这构成了买入机会,理由是市场对AI支出放缓的担忧被夸大,这一判断建立在英伟达与博通管理层的公开反驳之上。其中最具分量的是博通CEO陈福阳重申的2027财年AI半导体收入目标1150亿美元,这是一个需要产能与客户双重支撑的量化指引。花旗给予英伟达315美元、博通515美元的目标价,均维持买入评级。

更值得注意的是一个反直觉论点:AI推广节奏放缓对股价甚至可能是正面的。逻辑在于,当前市场的主要矛盾是资本开支强度与商业化回报之间的时间错配,如果模型能力释放的速度放缓,反而给了应用层更多时间去消化既有算力、把投入转化为收入。花旗还强调,中美科技竞争背景下AI领先地位具有战略属性。

把这条观点放到当前的分歧格局里,它处在明确的乐观一端。与之对照,市场上同样存在存储周期见顶、供需时间错配以及估值回归的担忧,BNK投资证券就下调了三星的目标价,警告存储价格继续上涨的难度加大、需求弹性正在减弱。两者的分歧最终要由数据裁决:存储四季度合约价的落地幅度与云厂商的资本开支指引。

来源:Yahoo Finance

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Susquehanna:存储已稳坐「半导体王座」,占行业总收入过半

21财经 / 21世纪经济报道北京时间 9月9日大咖观点
Susquehanna分析师Hosseini指出存储已稳坐半导体王座且统治将持续,存储现占半导体总收入50%至55%、远高于历史的20%至30%,预计本季DRAM均价环比上涨50%、NAND上涨60%。
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结构性的比例变化是这条判断最有力的证据。Susquehanna分析师Mehdi Hosseini指出,存储目前已经占据半导体总收入的50%至55%,而历史区间只有20%至30%,这种占比的跃升意味着存储不再只是周期性的配角,而是决定整个行业营收与利润走势的主导变量,他因此判断这一统治地位将会持续。价格趋势支撑了这一判断:他预计本季度DRAM均价环比上涨50%,第四季度再涨20%;NAND本季度上涨60%,下季再涨25%。

价格上涨的驱动力来自供需两端的错配。需求侧,AI服务器对HBM的消耗挤占了常规DRAM的产能,而推理与持续学习场景进一步扩大内存占用;供给侧,三大原厂2026年产能基本已被预订,新增有效产能要到2028年才开始爬坡。美光CEO高级顾问苏米特·萨达纳也持类似看法,认为本轮内存短缺覆盖所有市场领域;SK海力士则预计DRAM供需失衡将在2027年见顶。

这一格局对产业链的影响是分配性的。利润向存储原厂集中,使上游存储设备与材料环节同步受益,但也给下游的模组、终端与云厂商带来成本压力——芯片成本上升最终会传导到服务器与消费电子的定价上。分歧的核心在于高价格能维持多久:看多者认为需求结构变化是长期性的,看空者则强调存储的历史周期性。后续关注点是四季度合约价的实际落地情况以及原厂扩产计划的节奏。

来源:21财经

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申万宏源:半导体景气受AI驱动上行,2028年云厂商盈亏是关键考验

中国金融信息网北京时间 9月1日大咖观点
申万宏源认为AI应用打开新场景、Token调用量攀升,2026年云厂商资本开支预计翻番,国产替代从可选变必选;首席研究员余斌指出2028年云厂商能否盈利是景气持续性的关键考验。
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这套判断把景气的持续性锚定在了一个可验证的节点上。申万宏源总经理张剑指出,AI应用正在打开新场景、Token调用量持续攀升,2026年云厂商资本开支预计翻番,GPU、HBM、先进制程与先进封装供应紧张;同时国产替代的逻辑从「可选」变为「必选」。首席研究员余斌则给出了更具体的检验标准——半导体是智能时代的核心底层竞争力,而2028年云厂商能否实现盈利,是判断这轮景气能否持续的关键考验。

行业规模预测提供了量级参考。申万宏源援引WSTS数据称,2025年全球半导体营收7956亿美元,2026年将达15112亿美元、同比增长89.9%;另有瑞银预测1.63万亿美元、摩根大通预测1.73万亿美元。IDC测算全球AI服务器出货未来五年复合增速在30%以上;中信建投则指出头部云厂商与代工厂已签订三到五年的长协订单,这一安排显著降低了全面过剩的可能性。

把「2028年云厂商盈利」当作检验标准,隐含的逻辑链条是清晰的:只有应用侧真正产生利润,算力投入才具备自我循环的能力,否则整个链条将依赖持续的外部融资支撑。对投资者的含义是,评估半导体标的时不应只看订单能见度,还要看下游客户的现金流状况与变现路径。后续需要跟踪的变量包括Token调用量的增长斜率与长协订单的履约节奏。

来源:中国金融信息网

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美光自高点回落22%,9月30日财报成AI存储超级周期试金石

nai500时间不详大咖观点
美光股价较6月高点回落约22%,市场把9月30日财报视为检验AI存储超级周期能否延续的关键节点,公司2026财年前三季营收790亿美元、同比增长203%,但市盈率仅约6倍。
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股价与业绩的背离构成了这次财报的核心悬念。美光2026财年前三个季度实现营收790亿美元、同比增长203%,净利润470亿美元,分析师预计全财年营收增长247%,2027财年增速回落至88%;但股价已较6月高点下跌约22%,远期市盈率仅约6倍。这种低估值与高增长并存的组合,说明市场并不相信当前的高盈利水平能够持续。

分歧的焦点在于这轮周期是否具备结构性特征。看多者的论据是AI带来的需求变化不同于以往:HBM挤占常规DRAM产能,SK海力士预计供需失衡要到2030年才会重新平衡,这让短缺具备了超越传统周期的持久性。看空者则强调历史规律——美光股价在历次下行周期中曾两次跌幅超过80%,而各大原厂正在激进扩产。

9月30日的财报因此成为一次双向验证。市场关注的不只是当季业绩,更是公司对2027财年的展望与资本开支计划的措辞——如果管理层给出强劲的长期指引并维持克制的扩产节奏,低估值可能被重新定价;若指引转向谨慎或资本开支显著上调,周期见顶的担忧将被强化。对外资流向而言,这一结果还会影响韩国市场上三星与SK海力士的资金动向。

来源:nai500

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外资一周抛售三星与SK海力士13万亿韩元,券商对存储前景分歧加大

每日经济(韩国) / 每日经济新闻北京时间 9月18日大咖观点
截至9月17日当周外资净卖出三星电子与SK海力士合计12.95万亿韩元,同时韩国券商对存储后市判断明显分化,看多者强调订单未减,看空者下调目标价并警告需求弹性减弱。
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资金流向与基本面数据出现了明显背离。截至9月17日的一周内,外国投资者净卖出三星电子与SK海力士股票合计12.95万亿韩元。但同期公布的产业数据依然强劲:韩国8月半导体出口466.7亿美元、同比增长209%,SK海力士对DRAM供需失衡的判断是2027年见顶、最早2030年重新平衡,存储价格在四季度仍有望继续上行。资金选择在此刻减仓,反映的是对周期位置而非当期业绩的定价。

券商的判断因此出现了罕见的正面对立。看多一方,KB证券认为2026年全球半导体市场规模可能同比翻倍至2000万亿韩元,其中存储占1100万亿韩元、约55%,并指出高利率并未阻断AI需求,依据是1月至9月美国超大规模云计算企业的AI基础设施债券发行同比增长约8倍;元大证券强调在实际订单下滑被确认之前,不应把近期回调视为AI投资缩减的信号。看空一方,BNK投资证券将三星目标价从30万韩元下调至27万韩元,警告存储需求弹性正在减弱。

这种分歧本身就是周期中后段的典型特征。当价格与盈利处于历史高位时,多空双方对同一组数据会给出相反的解读。对外资而言,13万亿韩元的净卖出更像是在高位锁定收益、重新评估风险收益比的组合动作,而非对存储需求的否定。后续关注点是10月存储合约价的谈判结果,以及美光9月30日财报能否为这场分歧提供事实基础。

来源:每日经济

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政策与资本

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特朗普与习近平将于9月24日会晤,卢特尼克称出口管制不会上谈判桌

Inside AI Policy / Communications Daily北京时间 9月3日政策与资本
美国商务部长卢特尼克表示,放宽包括AI芯片在内的技术出口管制不会成为特朗普与习近平9月24日会晤的议题,并称中国迄今未采购英伟达H200或AMD同类产品,美方将让相关安排搁置。
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这是峰会前最明确的一次政策定调。美国商务部长霍华德·卢特尼克表示,放宽技术出口管制、包括AI芯片在内,不会成为特朗普与中国国家主席习近平9月24日会晤的议题。他解释称,尽管美国在2026年1月的规则中放宽了此类出口的许可审查政策,但中国迄今并未采购英伟达H200或AMD的同类产品,并称「总统伸出了橄榄枝,但没有被接受,所以我们就让它搁置着」,美方仍以军事与技术安全为由维持对最先进AI芯片的限制。

峰会之外的议题清单同样值得关注。会晤预计将涉及贸易失衡、中国产能过剩、稀土供应链与人工智能等议题,白宫方面则称中国同意放宽镓、锗、石墨与锑的出口管制。卢特尼克没有直接回答美方是否会封堵中国企业通过东南亚数据中心远程访问先进美国芯片的漏洞,这说明管制思路正从单纯限制实物出口,向覆盖算力获取路径延伸。

对产业的实际影响取决于执行而非表态。若管制维持现状,最先进产品保留在受限体系内,而次高端产品的出口空间取决于采购方的实际行为。对国内产业链而言,这意味着国产替代的紧迫性不会因峰会而缓解,自主可控仍是唯一的确定性方向。后续关注点是峰会是否在稀土与关税领域达成可执行的交换安排。

来源:Inside AI Policy

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美国会推新法案:受CHIPS法案补贴企业十年内禁用中国芯片设备

The Economic Times时间不详政策与资本
美国议员提出两党法案,禁止接受CHIPS法案补贴的企业在十年内采购中国芯片制造设备,同时涵盖伊朗、俄罗斯与朝鲜设备,若美国或盟友无替代产品可申请豁免。
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这项法案把补贴与采购限制直接绑定。美国议员提出的两党法案要求,接受CHIPS法案资金的企业在十年内不得采购中国的芯片制造设备,限制范围同时涵盖来自伊朗、俄罗斯与朝鲜的设备;若美国本土或其盟友没有可用的替代产品,企业可以申请豁免。这一设计实际上把补贴的附加条件从「不得在中国扩产」延伸到了「不得使用中国设备」,管制的着力点从产能布局转向供应链的构成。

政策背景是补贴审查的持续收紧。CHIPS法案为半导体制造与研发提供了527亿美元的资金支持,先进制造投资税收抵免已由25%提高至35%,但2026年12月31日之后开工的项目不再适用,距截止仅剩约三个半月。政府方面已公布赠款330.787亿美元,已宣布的半导体供应链私人投资累计超过8258亿美元。在这个规模下,附加采购条件的边际影响会被显著放大。

对产业链的含义需要分两个方向看。短期直接冲击有限——中国芯片设备对美系先进产能的供应占比本就不高,法案的象征意义大于当期财务影响;中期则会加速全球设备供应链的分区化。后续关注点是法案能否进入正式表决程序,以及豁免条款的具体认定标准。

来源:The Economic Times

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半导体关税两阶段框架明确:在美建厂免税、不建厂缴税

百思特全球半导体行业周报北京时间 9月15日政策与资本
半导体关税确立两阶段结构,第一阶段对符合特定性能与存储带宽标准的先进计算芯片征收25%从价税已生效;第二阶段豁免原则于9月2日确认为在美建厂免税、不建厂缴税,范围可能扩展至服务器与笔记本。
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关税框架的结构比税率本身更值得研究。半导体关税已经确立为两阶段结构:第一阶段对符合特定处理性能与存储带宽标准的先进计算芯片征收25%的从价税,目前已经生效,覆盖范围大致对应英伟达H200与AMD MI325X级别的数据中心产品及含有这些芯片的指定产品;第二阶段的核心是豁免原则,美方于9月2日确认「在美建厂免税、不建厂缴税」,适用范围可能扩展到服务器、笔记本电脑与游戏硬件,但税率、产品清单、投资门槛与生效时间仍未公布。

这套设计的实质是把关税转化为产业回流的杠杆。豁免条件与投资承诺挂钩,使企业面临一个可计算的取舍:要么承担关税成本,要么在美国本土建设产能。这与CHIPS法案的补贴形成了政策组合拳——补贴提供正向激励,关税提供反向压力,两者共同指向制造业回流的目标。同时,框架的模糊性本身也是一种谈判工具,未公布的税率与门槛保留了政策随时加码的弹性。

对产业的传导将沿两条路径展开。一是成本路径,如果第二阶段覆盖服务器与消费电子,整机厂商的成本结构会被直接改变,最终反映到终端定价上;二是布局路径,为了获得豁免资格,企业可能提前宣布美国建厂计划,这与35%投资税收抵免在2026年底截止的时间点叠加,可能在未来数月催生一波建厂公告。后续关注点是第二阶段税率与投资门槛的公布时间与豁免资格的认定机制。

来源:百思特全球半导体行业周报

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中国对原产于日本的二氯二氢硅实施反倾销临时措施,保证金比率最高99.2%

天风证券研报 / AASTOCKS北京时间 9月8日政策与资本
中国自9月8日起对原产于日本的进口二氯二氢硅实施反倾销临时措施,保证金比率80.8%至99.2%,该前驱体用于薄膜沉积,逻辑、存储与模拟芯片制造均需使用,预计加快国产替代。
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这项措施的针对性体现在产品的不可替代性上。中国自2026年9月8日起对原产于日本的进口二氯二氢硅实施反倾销临时措施,保证金比率定在80.8%至99.2%的区间。二氯二氢硅是化学气相沉积工艺中的关键前驱体,用于薄膜沉积环节,逻辑芯片、存储芯片与模拟芯片的制造均需使用,属于用量不大但缺其不可的电子特气品类。接近100%的保证金比率在事实上大幅抬高了日本产品的进口成本,效果接近于短期停止采购。

措施出台的背景是中日贸易与科技摩擦的同步升温。在同一时间窗口内,美方对华科技投资限制生效、商务部实体清单新增11个中国实体。把二氯二氢硅纳入反倾销调查,既是对国内产业受损的救济,也是在更广泛的贸易博弈中积累筹码——该产品日本供应商份额较高,而国内已有可替代产能。

对产业链最直接的影响是国产电子特气企业的验证与放量节奏被大幅前置。半导体材料的客户认证周期通常长达一到两年,下游晶圆厂对供应商切换极为谨慎,但关税形式的价格冲击会显著缩短决策时间,使国产供应商获得更早的导入机会。风险在于短期供给的切换成本:如果国内产能爬坡跟不上,晶圆厂可能面临阶段性的采购压力与成本上升。后续需要跟踪临时措施是否转为正式裁定。

来源:AASTOCKS

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韩国2027年预算大幅加码半导体支持,新设2.6万亿韩元特别会计

京乡新闻时间不详政策与资本
韩国2027年预算案将半导体支持规模由1.3万亿韩元提高至3.4万亿韩元,并新设2.6万亿韩元特别会计;同期日本、欧盟、印度亦在加大半导体产业扶持力度。
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韩国的加码幅度在主要经济体中是显著的。2027年预算案把半导体支持规模从1.3万亿韩元提高到3.4万亿韩元,增幅超过一倍,并新设2.6万亿韩元规模的特别会计。考虑到韩国在存储领域已经占据全球主导地位,这种力度的财政支持指向的是巩固既有优势而非追赶——重点大概率落在先进制程产能、材料设备自主化以及封装环节,目的是在存储超级周期带来的现金流之外,为长期竞争力建立财政缓冲。

这并非孤例,而是全球性的政策共振。日本方面,Rapidus的2纳米量产目标定在2027财年下半年,被视为日本重返先进逻辑制程的关键赌注;欧盟《芯片法案2.0》于2026年6月提出,采用三支柱结构,但欧盟本土产量仅能覆盖自身消费的约五分之一,并于9月就关键进口供应商的多元化工具与战略投资举行政策辩论;印度Semicon 2.0财政规模达1.275万亿卢比。

各国同时加大投入的结果,是未来三到五年全球半导体产能的集中释放。从产业规律看,补贴驱动的产能扩张往往在需求高峰之后落地,容易加剧周期的波动幅度——这也是市场对2028年之后供给过剩担忧的来源之一。但对单个经济体而言,在供应链安全优先于效率的当下,不投入的风险高于投入的风险,这构成了补贴竞赛的底层逻辑。后续关注点是各国资金的实际拨付进度与标志性项目的量产达成情况。

来源:京乡新闻

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中国筹备逾1万亿元半导体支持方案,「十五五」主线转向成体系可用

中研普华产业研究院北京时间 9月10日政策与资本
据报道中国正筹备超过1万亿元人民币的半导体支持方案以推进自给自足,国家大基金三期3440亿元为历史最大规模;行业报告指出「十五五」主线正从能否造出来转向稳定成体系地用起来。
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深度解读

资金规模反映的是战略优先级。据报道,中国正在筹备超过1万亿元人民币、约合1430亿美元的半导体支持方案,用于推进产业自给自足并对冲外部限制;美国半导体产业协会估计中国对半导体产业的支持累计已超过1420亿美元。已有的资金通道包括国家大基金一期1387亿元、二期约2040亿元与三期3440亿元,三期规模为历史最大,覆盖制造、设计、封装测试、设备、材料与AI芯片等环节。这种全链条覆盖的投入方式,说明政策目标不是单点突破,而是构建完整的产业体系。

更值得关注的是政策重心的表述变化。行业报告指出,在「十五五」窗口下政策持续加码自主可控,产业主线正在从「能不能造出来」转向「稳定、好用、成体系地用起来」,在成熟制程、特色工艺、先进封装和部分设备材料环节加速形成非对称优势。这一表述的转变意味着评价标准从技术指标的达成,转向产能良率、产品一致性与生态兼容性等产业化指标。

在需求端,国家发改委对个人消费者购买手机、平板、智能手表手环等数码产品给予补贴,天风证券预计购新补贴将加速换机周期、拉动相关芯片需求。这种供给与需求两侧同时发力的安排在国内半导体政策中并不常见——供给端解决产能与技术的可用性,需求端提供初始市场规模,有助于国产芯片更快跨越从认证到放量的门槛。后续需要跟踪支持方案的落地形式与资金拨付节奏。

来源:中研普华产业研究院

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韩美半导体出口管制研讨会在首尔举行,聚焦EAR域外适用与关联方规则

朝鲜商务 / Chosunbiz北京时间 9月18日政策与资本
韩国律所与美国律所在首尔联合举办韩美半导体出口管制研讨会,围绕出口管理条例的域外适用、经批准IC设计者制度、关联方规则、外国直接产品规则及企业尽职调查展开实务讨论。
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研讨会的议题清单本身就是一份管制风险地图。9月17日至18日在首尔举行的这场研讨会由韩国律所与美国律所联合举办,讨论集中在几个实务难点上:美国出口管理条例的域外适用边界、经批准IC设计者制度的运行方式、关联方规则对集团架构的影响,以及外国直接产品规则的触发条件。这些议题的共同属性是都处于「合规不确定地带」——规则文本相对清晰,但落到具体交易上时,判断标准往往取决于主管机关的裁量。

韩国企业处在这套规则的压力中心。三星电子已获得美方年度许可,可在2026年为其中国工厂进口芯片制造设备,这标志着对华芯片工具出口进入新的年度审批体系;台积电的快速通道资格则被撤销,公司期望获得向中国工厂供应芯片工具的永久性批准。三种不同的待遇安排说明管制正在从统一规则转向按企业、按设施逐一裁量的模式。

对产业的实际影响是合规成本的结构性上升。当管制依据从明确的产品清单延伸到企业架构、股权关系与技术来源时,企业需要建立覆盖供应链上下游的尽职调查体系。后续关注点是年度许可制度的实际审批周期与通过率,以及美方是否会将更多中国企业纳入实体清单从而扩大管制范围。

来源:朝鲜商务