IBM此次发布的0.7nm芯片技术采用革命性的3D Nanostack架构，通过在垂直方向堆叠纳米片晶体管，实现了前所未有的集成密度——单芯片集成近1000亿个晶体管。与现有3nm制程相比，性能提升约50%，能效比提升60%。该技术尚未进入量产阶段，但为2030年后的半导体路线图提供了明确方向。IBM Research在纽约奥尔巴尼的纳米技术中心完成了技术验证，后续需与代工厂合作实现商业化。值得注意的是，0.7nm已突破传统光刻极限，IBM采用了EUV多层曝光结合新型自组装光刻技术。业界认为，该技术若成功量产，将在HPC、AI训练芯片和量子计算控制芯片领域产生颠覆性影响。
来源：IT之家
OpenAI与博通合作的Jalapeno芯片是其首款自研AI推理专用ASIC，基于台积电3nm制程，从设计到流片仅耗时9个月，创下AI芯片开发速度纪录。该芯片专为Transformer模型推理优化，在GPT-4o及后续模型的推理任务上，每Token成本较H100降低约40%。Jalapeno采用数据流架构，大幅减少HBM带宽瓶颈，内部集成HBM4内存控制器。OpenAI计划将芯片部署于自有推理基础设施，减少对英伟达GPU的依赖。博通负责芯片设计服务和IP集成，而OpenAI团队主导架构定义。首批芯片预计2026年Q4开始部署，2027年大规模上量。这一动作标志着AI厂商"自研芯片"趋势进一步加速。
来源：第一财经
英伟达与台积电深化合作，将AI全面引入半导体制造流程。三大核心工具：cuLitho（计算光刻库）利用GPU加速光学邻近效应校正（OPC），使光刻掩模版生成速度提升20-50%，大幅降低EUV光刻的运算时间；cuEST（电子设计自动化仿真工具）将芯片热效应和电迁移仿真提速50倍，使设计-制造协同优化成为可能；Omniverse FabTwin则是晶圆厂数字孪生平台，可实时模拟整厂物流、设备调度和良率影响。台积电已在3nm和2nm产线部署cuLitho，每个光刻层运算时间从数天降至数小时。英伟达表示，AI+半导体制造将开启"计算光刻"新时代，未来每提升1%良率即可带来数十亿美元价值。
来源：NVIDIA
台积电最新技术路线图显示其2nm（N2）制程将于2026年下半年量产，采用GAA（Gate-All-Around）纳米片晶体管架构，相较3nm N3E在同等功耗下速度提升15%，或同等速度下功耗降低30%。在先进封装方面，CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）已支持5.5倍光罩尺寸（约4230mm²），良率超过98%，为超大尺寸AI Chiplet提供技术基础。此外，台积电正开发下一代SoIC（系统集成芯片）3D堆叠技术，可在单一封装内实现超过1TB/s的带宽。客户方面，英伟达Vera Rubin平台、AMD MI400系列和多家CSP自研芯片将率先采用这些先进技术。路线图还透露台积电正推进1.4nm（A14）研发，预计2028年进入风险生产。
来源：东方财富
意法半导体（STMicroelectronics）推出ST54M安全芯片，是全球首款集成后量子密码（PQC, Post-Quantum Cryptography）的移动安全解决方案。该芯片在一个封装内整合了PQC协处理器、NFC控制器和eSIM安全单元，可防御量子计算机对现有RSA/ECC公钥体系的攻击威胁。ST54M支持NIST已标准化的CRYSTALS-Kyber（密钥封装）和CRYSTALS-Dilithium（数字签名）算法，同时向下兼容现有PKI体系。芯片采用28nm eNVM工艺，PQC运算性能达每秒800次密钥封装操作。意法半导体表示，该芯片将率先用于旗舰智能手机、物联网安全模块和数字身份卡，为2027年后量子安全迁移做好准备。金融和政务应用将是首批落地场景。
来源：太平洋电脑网
三星电子在MRAM（磁阻式随机存取存储器）技术取得重大突破，成功实现5nm级制程的STT-MRAM（自旋转移矩MRAM）单元。与传统SRAM相比，MRAM具有非易失性、高写入速度、近乎无限的耐久性以及更高的存储密度优势。三星此次突破将MRAM单元的尺寸缩小至5nm节点，存储密度较此前14nm MRAM提升3倍以上，功耗降低60%。该技术主要面向嵌入式存储场景，替代MCU和SoC中的嵌入式SRAM和Flash。三星计划将eMRAM引入其Exynos移动SoC和自动驾驶芯片中，实现"instant-on"用户体验和更高的能效比。业界认为，MRAM若成功切入5nm节点，将极大改变嵌入式存储市场格局，对eFlash和eSRAM构成全面替代威胁。
来源：DIGITIMES
美光科技公布2026财年第三季度财报，营收达414.6亿美元，远超市场预期的358.5亿美元，同比增长超过180%。净利润创历史新高，HBM3E出货量环比增长超50%，DRAM位元出货量增长约20%，平均售价同步提升。数据中心AI相关收入占比已达65%。美光CEO表示"AI存储器超级周期才刚开始"，HBM4将于2027年进入量产。受业绩提振，美光盘后股价飙升超16%，并带动英伟达、AMD、英特尔等芯片股全面上涨。分析师上调美光目标价至1200-1500美元区间。美光同时宣布2027年资本支出计划上调至200亿美元，主要用于美国本土HBM产能扩张。
来源：TipRanks
英伟达新一代AI平台Vera Rubin正式进入3nm量产阶段，采用台积电N3P制程，单机架系统定价约780万美元。Vera Rubin基于全新Vera CPU+Rubin GPU架构，FP8算力较Hopper H100提升约8倍，HBM4内存带宽达6.4TB/s。每个机架集成72颗Rubin GPU和36颗Vera CPU，通过NVLink 6互联。TrendForce预计Q3开始规模出货，全年出货量有望突破40万颗GPU。由于单颗Die尺寸接近光罩极限（约800mm²），英伟达已大量包下台积电3nm产能，预计Vera Rubin系列将贡献台积电2026年营收的20%以上。AMD MI400和Intel Falcon Shores也将面临Vera Rubin的全面竞争压力。
来源：TrendForce
中芯国际（SMIC）A股市值突破1万亿元人民币，成为全球第三大晶圆代工企业（按市值计）。消息面上，中芯国际N+3工艺取得重大突破，实现等效3nm逻辑制程，尽管仍采用DUV（深紫外）多图案曝光技术，但在性能和功耗上已接近台积电N3E的80%水平。华为已取代高通成为中芯国际第一大客户，其Ascend 920 AI芯片采用N+3工艺量产，良率超过65%。中芯国际2026年资本支出计划上调至120亿美元，主要用于北京、上海和深圳3座新厂建设。不过，美方出口管制仍对ASML High-NA EUV设备获取构成阻碍，中芯国际短期内仍无法获得最先进光刻机。
来源：证券之星
英特尔代工服务（IFS）业务取得关键突破，成功拿下特斯拉（自动驾驶芯片）、谷歌（TPU v7）和苹果（调制解调器芯片）三大重量级客户订单。英特尔先进制程18A-P（相当于1.8nm级）已进入风险生产阶段，采用PowerVia背面供电和RibbonFET环绕栅极技术。据悉，特斯拉的AI自动驾驶芯片将采用18A-P工艺，预计2027年量产。谷歌TPU v7部分计算单元也交由英特尔代工。苹果则委托英特尔生产其自研5G基带芯片，以减少对高通的依赖。英特尔CEO表示"四年五节点"计划已基本完成，代工业务将在2027年实现盈亏平衡。但市场仍对英特尔能否解决良率问题保持谨慎。
国内三大封测巨头同步启动大规模扩产计划：长电科技投资78亿元建设江阴先进封装基地，聚焦Chiplet（芯粒）和3D封装产能；华天科技投入30亿元扩建西安和南京工厂，主攻存储及射频封装；通富微电投资42亿元在苏州和南通新建产线，重点布局HBM封装和FC-BGA基板。三项投资合计超150亿元，反映AI对先进封装需求的爆发式增长。按照规划，新增产能将在2027年底前陆续释放，届时中国大陆先进封装产能将翻倍。不过，设备方面仍面临K&S、ASMPT等海外供应商的交期挑战，国产封装设备渗透率约30%。
来源：证券时报
高通宣布为中国市场定制数据中心AI芯片，面向中国云计算厂商提供定制化推理加速方案。这一举动背景复杂：一方面，高通推出的Dragonfly CPU已获Meta和微软等西方大客户采用，基于Nuvia架构，AI推理性能达到AMD EPYC的2.5倍；另一方面，高通明确表示其中国定制版将严格遵守美国出口管制条例，受EAR（出口管理条例）约束。分析认为，高通试图在合规前提下抓住中国AI芯片需求缺口，填补英伟达高端GPU被限制出口后的市场空间。但中国客户对"受出口管制约束的定制芯片"存在顾虑，担心未来供应稳定性。高通此举也面临来自华为昇腾和寒武纪等国产AI芯片的竞争。
来源：凤凰网科技
SK集团会长崔泰源近期先后与台积电董事长魏哲家、英伟达CEO黄仁勋举行闭门会谈，核心议题围绕HBM4（高带宽存储器第四代）的供应合作与技术路线对接。SK海力士是全球最大的HBM供应商，占HBM3E市场约70%份额。HBM4预计2026年底开始样品交付，2027年进入量产，将采用更先进的2048位接口和台积CoWoS-L先进封装技术。会谈重点包括：HBM4与英伟达Vera Rubin平台的对接验证、SK海力士与台积电在2.5D/3D封装方面的协同开发，以及HBM4的长期定价协议。崔泰源表示，将持续扩大HBM产能投资，2027年前M15x新厂将投产。韩媒分析认为，此次高层会晤巩固了"英伟达-台积电-SK海力士"在AI存储生态的铁三角格局。
来源：Asianet
伯恩斯坦资深半导体分析师Stacy Rasgon在最新研报中表示，这是其职业生涯中首次见证真正的"芯片超级周期"（Chip Supercycle）。他指出，当前半导体行业景气度已远超传统周期性复苏，AI需求的爆发性增长正在从根本上改变行业结构。Rasgon将2026年全球芯片市场规模预期从8000亿美元上调至1.3万亿美元，并认为增长可持续至2028年以后。但他同时警告，电力基础设施是当前"最大的瓶颈"——一个英伟达Vera Rubin集群（约2万颗GPU）的功耗高达200MW，相当于一个小型核电机组。Rasgon建议投资者关注电力基础设施投资标的，包括数据中心电力设备、变压器和工业电力电子公司。他还指出，地缘政治风险仍可能是打破超级周期的最大外部变量。
来源：Blockbeats
美银（Bank of America）发布重磅研报，将2030年全球半导体市场总规模（TAM）预期从2万亿美元上调至2.7万亿美元。报告认为，AI将在未来5年内为芯片行业再贡献约1万亿美元的增量收入。HBM和SSD等存储芯片将是最大受益者，AI推理和训练对存储带宽的需求每年增长3倍以上。美银将美光目标价从1200美元上调至1500美元，认为其在HBM领域的先发优势将在HBM4时代继续巩固。美银还看好英伟达（目标价250美元）、AMD（目标价220美元）和博通（目标价280美元）。报告特别指出，2026-2028年将是半导体设备超级周期，WFE（晶圆前端设备）市场将达到2500亿美元。电力基础设施股也是美银重点推荐方向。
来源：东方财富
TrendForce最新报告预计2026年全球晶圆代工产值将达到2188亿美元，同比增长近25%。其中台积电表现最为强劲，预计全年营收增长32%，市占率进一步攀升至65%以上。三星代工受先进制程良率问题困扰，市占率预计降至约10%。中芯国际（SMIC）受益于国产替代和中国AI芯片需求，营收年增约28%。联电和格芯则专注于成熟制程，在CIS、PMIC等领域保持稳定。按制程节点看，7nm以下先进制程代工产值占比提升至55%，AI芯片贡献其中约70%的增量。TrendForce指出，产能供不应求的局面在2026年全年仍将持续，代工涨价周期可能延续至2027年上半年。3nm和2nm产能利用率已满载至2027年。
来源：证券时报
瑞银（UBS）在最新行业报告中以"世代性繁荣"（Generational Boom）定性当前半导体景气周期，预计2026年全球半导体销售额将达到1.62万亿美元，同比增长118%。其中存储芯片表现最为惊人，受HBM位元出货量增长350%、DRAM/NAND均价同比提升120%推动，存储板块收入预计增长318%。逻辑芯片（含CPU/GPU/ASIC）预计增长75%。瑞银指出，这是过去20年从未见过的增长斜率，即使在2000年互联网泡沫时期也未出现如此增速。但瑞银也提示风险：2027年下半年可能出现周期性调整，尤其是NAND市场，因多家厂商扩产可能导致供过于求。瑞银建议投资者在2026年下半年逐步减持存储股，转投设计IP和EDA工具类资产。
美银美林发布存储芯片专题报告，明确判断2028年之前全球存储芯片市场不会出现供过于求。核心逻辑有三：第一，AI对HBM和DDR5的需求正以每年翻倍的速度增长，仅英伟达Vera Rubin和下一代平台对HBM的需求量就将消耗SK海力士、三星、美光三家合计产能的60%以上；第二，DRAM和NAND的位元需求增长复合年增长率（CAGR）维持20%以上，而产能扩建受限于设备交期（EUV光刻机交期已延至18个月以上）；第三，存储厂商在经历过2023年的亏损后，对扩产保持理性克制。美银美林同步上调WFE（晶圆前端设备）市场预期，预计2028年达2500亿美元，ASML和应用材料最受益。报告推荐买入美光、三星电子和SK海力士。
来源：东方财富
嘉实基金基金经理田光远发表下半年半导体投资策略观点，提出三条核心主线：第一条是AI算力，包括GPU、HBM和AI服务器产业链，受益于英伟达Vera Rubin放量和各大CSP自研芯片量产，订单能见度至2027年；第二条是半导体设备国产化，在美国出口管制持续加码背景下，北方华创、中微公司等国产设备龙头订单饱满，2026年国产化率有望从30%提升至40%；第三条是存储涨价周期，DRAM和NAND价格将持续上涨至2027年上半年。田光远特别强调，Q3是"极佳的配置窗口"，中期维度看半导体板块估值仍有30%以上提升空间。但也需关注台海地缘风险和美国大选后政策变化。
来源：格隆汇
美国商务部工业与安全局（BIS）发布新一轮出口管制新规，核心变化在于管辖逻辑的根本性转变——不再以"最终目的地"（即货物最终送达的国家和实体）作为受控依据，而是以"公司总部所在地"为判定标准。这意味着即使中国公司的海外子公司（如在东南亚、中东设立的子公司）购买美国技术或设备，只要其母公司总部在中国，同样受到美国出口管制限制。这一新规直接堵住了此前中国企业通过海外子公司"绕道"获取先进芯片、设备和EDA工具的常见路径。受影响范围包括华为、中芯国际、长存、长鑫等所有中国总部企业。台积电需更加谨慎地核查所有代工客户背景。业界认为，新规将加速中国半导体产业链去美化，但也大幅增加了合规成本。
来源：太平洋电脑网
美国参议院商务委员会推进三项关键出口管制立法：(1) AI Overwatch Act（AI监督法案）——设立AI出口管制监督委员会，要求商务部长每年向国会报告AI芯片出口管制效果，并对违规企业实施更严厉处罚；(2) MATCH Act（制造和技术合规法案）——加强对第三方"转运"和"中间人"的监管，禁止美国技术通过第三国间接流入受限实体；(3) Chip Security Act（芯片安全法案）——要求对所有涉及国家安全的应用芯片建立"供应链可追溯"制度，从设计到封测全链条追溯。三项法案若通过，将把目前基于BIS行政命令的出口管制上升为成文法（Statutory Law），大幅增强法律约束力和处罚力度。半导体行业协会（SIA）对此表示担忧，认为过度管制可能损害美国产业竞争力。
多位美国国会议员致信拜登政府，要求大幅收紧对台积电代工业务的出口管制核查规则。议员们指出，当前BIS对台积电代工的核查机制存在重大漏洞——部分受限制实体通过第三方中介或设计公司，将芯片设计委托台积电生产，绕过了现有的客户身份核查程序。信件明确表示："如果出口管制可以被代工核查绕过，那这样的管制就毫无意义。"议员们要求：(1) 对所有台积电代工的AI芯片设计进行原产地和最终用户穿透核查；(2) 要求台积电每月向BIS提交代工客户清单；(3) 对违规行为实施"暂停出口许可"等惩罚措施。台积电回应称已加强KYC（了解客户）流程，2026年新增200名合规审查人员。但业内担忧，若核查规则过度收紧，将严重影响台积电的客户服务效率和商业机密保护。
中国加快构建对美科技遏制全链条反制体系。核心措施包括：(1) 扩大关键矿物出口管制清单，新增镓、锗、锑三种稀有金属的出口许可证要求，六氟化钨（半导体制造关键材料）价格已上涨190%；(2) 对外投资新规将于7月1日施行，对中国企业在半导体、AI、量子等敏感领域的外国投资实施更严格的审查和备案制度；(3) 推动"中国标准"国际化，在新型存储和先进封装领域主导制定国际标准。分析认为，中国的反制措施精准瞄准美国半导体产业的供应链脆弱性——美国80%以上的镓和60%以上的锗依赖中国进口。但反制也可能推高国产半导体企业的原材料成本。中美科技脱钩正从"单向管制"转向"双向对抗"的新阶段。
来源：网易
台积电获得美国商务部年度许可，可继续向南京12英寸晶圆厂出口指定的半导体制造设备。这一许可是在中美科技竞争持续升级背景下的重要"保留通道"——虽然美国全面收紧对中国的半导体出口管制，但通过"个案许可"机制保留了灵活性。台积电南京厂主要生产16nm/28nm成熟制程芯片，面向汽车电子、物联网和消费电子市场。值得注意的是，该许可仅限于"成熟制程设备"（28nm及以上），且附带严格的设备用途核查条件。美国商务部的考量是：完全切断台积电南京厂的设备供应将冲击全球汽车和消费电子供应链，反而增大中国自研替代的动力。台积电则表示将持续遵守各国法律法规，保持南京厂正常运营。2026年南京厂产能将扩至每月10万片晶圆。
来源：香港中通社
美国商务部宣布根据《芯片与科学法案》（CHIPS Act）向美国功率半导体企业I-Pulse拨付2.5亿美元直接拨款，用于建设碳化硅（SiC）功率半导体制造工厂。I-Pulse计划在密歇根州建设一座6英寸/8英寸兼容的SiC晶圆厂，主要生产车规级SiC MOSFET和肖特基二极管，面向电动汽车充电基础设施、光伏逆变器和工业电源应用。该项目预计创造约1200个直接就业岗位，并于2028年实现满产。碳化硅功率器件相比传统硅基IGBT可降低开关损耗70%以上，是800V高压电动车平台的核心元器件。这是拜登政府通过CHIPS Act向功率半导体领域的最大笔投资之一。业界认为，美国正加速构建从SiC衬底、外延片到器件制造的完整本土供应链，减少对科锐（Wolfspeed）等单一供应商的依赖。
来源：证券报